Ufs 3

Samsung anunció oficialmente el inicio de la producción en masa de nuevos chips de memoria para sus smartphones, estos llegan con 512 GB de almacenamiento y soporte para el nuevo estándar de transferencia USF 3.1 que aumenta velocidad de lectura y escritura.

Los buques insignia de Samsung serán mucho más rápidos y eficientes, pues el fabricante anunció la producción en masa de los chips de memoria eUFS 3.1, que permitirán almacenar videos de 8k y archivos de gran tamaño.

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha comenzado a producir en masa el primer eUFS (Universal Flash Storage) de 512 gigabytes (GB) 3.1 de la industria para su uso en teléfonos inteligentes emblemáticos.

512 GB de almacenamiento

Las nuevas memorias llegan con soporte para el estándar eUFS 3.1, con un almacenamiento de 512 GB, si bien estos se están implementando en la serie Galaxy S20, faltará poco para que otros fabricantes empiecen a implementarlos.

Gracias a la velocidad de almacenamiento del chip eUFS 3.1 512 GB, los usuarios podrán almacenar más información en menor tiempo, señala la compañía en la publicación oficial.

Samsung

Velocidad de escritura tres veces mejor que UFS 3.0

En febrero de 2019, Samsung introdujo sus chips de memoria UFS 3.0 con una velocidad de 1.000 MB/s, es decir, el doble de la velocidad de lectura respecto a la del SSD SATA de 2,5 pulgadas en la lectura secuencial, mientras que en la escritura alcanza los 260 MB/s.

Ahora, las nuevas eUFS 3.1 de 512 GB contarán con nada más y nada menos que con velocidad de lectura y escritura secuenciales de hasta 2100MB/s y 1200MB /s respectivamente.

“Con nuestra introducción del almacenamiento móvil más rápido, los usuarios de teléfonos inteligentes ya no tendrán que preocuparse por el cuello de botella que enfrentan con las tarjetas de almacenamiento convencionales”, dijo Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Memory Sales & Marketing en Samsung Electronics.

Es decir, que podrás transferir hasta 100GB de datos a tu móvil con eUFS 3.1 o desde este en solo 90 segundo o menos para los buques insignia de la marca, mientras que otras versiones con eUFS 3.0 requieren más de cuatro minutos.

Mejoras en velocidad de lectura y escritura aleatoria

Samsung también informó de mejoras a nivel de escritura y lectura aleatoria,  con rendimiento de un 60 por ciento más rápido que la versión UFS 3.0 ampliamente utilizada, ofreciendo 100,000 operaciones de entrada/salida por segundo (IOPS) para lecturas y 70,000 IOPS para escrituras.

Recordemos que el estándar UFS 3.0  ofrece 58.000 IOPS y 50 000 IOPS en lectura y escritura aleatoria respectivamente, si estas permitían leer un video FullHD de 5GB en solo 5 segundos, imagina lo que podrás hacer con las nuevas memorias eUFS 3.1.

Actualmente no se conocen otras capacidades de almacenamiento eUFS 3.1, pero Samsung dice que también está trabajando en 256 GB y 128 GB para terminales emblemáticos, que se lanzarán a finales de este año.

De momento, Samsung comenzó la producción en volumen de V-NAND de quinta generación en su nueva línea Xi’an, China (X2) este mes para smartphones insignia y gama alta.