Los investigadores del Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT, por sus siglas en inglés) y de la Universidad de Tecnología y Diseño de Singapur han desarrollado un nuevo método de fabricación a través del cual se pueden crear ordenadores más rápidos y con mayor nivel de procesamiento, todo gracias a un virus biológico real.

El nombre del virus es ‘bacteriófago M13’, y según el MIT, sirve para desarrollar un elemento capaz de desbloquear los sistemas de memoria de cambio de fase actuales, creando una nueva forma de almacenamiento digital que podría acelerar cualquier ordenador que utilice esta tecnología.

Al parecer, la solución que ofrece este virus radican en la forma en que la memoria es transferida dentro de un ordenador. Cuando uno de estos equipos almacena datos, su velocidad se hace más lenta mientras la información pasa de un hardware a otro. Según los investigadores, la transferencia de datos desde la memoria RAM transitoria al almacenamiento del disco duro en ocasiones puede generar retrasos de varios milisegundos para el ordenador.

Actualmente, existen formas de reducir estos retrasos de tiempo en ordenadores, sin embargo, usualmente son costosos y no son del todo duraderos. Por ejemplo, el hecho de sustituir el sistema de memoria de dos partes con una única opción de almacenamiento (memoria de cambio de fase) podría reducir el retraso, pero apenas a 10 nanosegundos.

El método de fabricación que hoy en día se aplica para la memoria de cambio de fase eleva los niveles de consumo de energía y genera altas temperaturas que pueden dañar el antimoniuro de galio, un semiconductor binario básico para este tipo de sistemas.

Sin embargo, al utilizar el bacteriófago para unir las partes de antimoniuro de galio, los científicos lograron reducir en gran medida la temperatura. Según los expertos, este logro abre el camino para eliminar en el futuro los retrasos de milisegundos en el almacenamiento, así como los retrasos en la transferencia de datos en ordenadores modernos.

Referencia: Biological-Templating of a Segregating Binary Alloy for Nanowire-Like Phase-Change Materials and Memory. ACS Appl. Nano Mater., Article ASAP. November 20, 2018. DOI: 10.1021/acsanm.8b01508