Samsung Electronics, anunció hoy que comenzó la producción en masa del primer SSD (unidad de estado sólido SATA) de 4TB de cuatro bytes (QLC, 4 niveles) de la industria, a un precio asequible para el consumidor final.

Samsung, hizo el anuncio en su sitio oficial. Donde describe este componente, basado en 1-terabit (Tb) V-NAND con un rendimiento sobresaliente, equivalente al diseño de 3 bits de la compañía.

Se espera que el QLC SSD de Samsung, brinde un nuevo nivel de eficiencia a los SSD de consumo.

La desventaja del almacenamiento QLC NAND, ha sido tradicionalmente que sacrifica la velocidad para una mayor densidad, sin embargo, Samsung promete las mismas velocidades de lectura de 540MBps y 520MBps que ofrece en sus unidades SATA SSD existentes.

La nueva SATA SSD de 4 bits de Samsung anunciará un cambio masivo a SSD de terabytes para los consumidores“, dijo Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing Samsung Electronics. “A medida que expandimos nuestra línea de productos a los segmentos de consumidores y a la empresa, los productos SSD de 4TB se extenderán rápidamente por todo el mercado”.

Samsung planea lanzar una blockchain con criptomoneda propia

Con su nuevo chip V-NAND de 1Tb y 4 bits, Samsung podrá producir eficientemente una tarjeta de memoria de 128GB para teléfonos inteligentes que llevará la carga hacia capacidades más altas para el almacenamiento de memoria de alto rendimiento.

El SSD QLC SATA 4TB de Samsung, mantiene sus niveles de rendimiento igual que un SSD de 3 bits, utilizando un controlador SSD de 3 bits y tecnología TurboWrite, mientras aumenta la capacidad del disco, mediante el uso de 32 chips, todos basados en la cuarta generación de 1Tb V-NAND de 64 capas.

Samsung planea introducir varios SSD de consumo de 4 bits más adelante este año con capacidades de 1TB, 2TB y 4TB en el formato de 2,5 pulgadas.

Una nota lateral intrigante en el comunicado de prensa de Samsung, también indica que la compañía utilizará la misma tecnología “para producir de manera eficiente una tarjeta de memoria de 128 GB para teléfonos inteligentes que llevará la carga hacia mayores capacidades de almacenamiento de memoria de alto rendimiento“.

Más en TekCrispy