En lo que va de año, diversos rumores y filtraciones nos han mostrado cómo la firma surcoreana, Samsung, se plantea un futuro lleno de tecnología innovadora, llegando hasta ser pioneros en varias patentes y proyectos. Como el caso del smartphone con doble pantalla flexible, la GPU para mejorar el rendimiento de los gráficos de los teléfonos, o su patente para “pantalla irrompible”.
En tal sentido, la firma tiene plena confianza en que los dispositivos actuales se pueden mejorar cada vez más, es por ello, que Samsung anunció hoy que ha comenzado a producir en masa, la primera generación de chips de memoria DRAM de 10nm para móviles, que prometen aumentar la duración de la batería.
La nueva DRAM LPDDR4X (baja potencia, velocidad de datos doble, 4X) de 10nm (1y-nm) de Samsung, acaba de entrar en producción, y de acuerdo con el fabricante, contribuirán a mejorar la eficiencia y reducir el consumo de batería de los teléfonos inteligentes premium como el Samsung Galaxy S10.
Según menciona la firma, estos chips de memoria podrán resolver problemas como, el agotamiento de la batería. A pesar de que la DRAM LPDDR4X de 16Gb aún logra la velocidad de datos de 4.266 Mbps –presente en los teléfonos inteligentes actuales–logra una gran disminución de hasta un 10 por ciento en el consumo de energía.
Al combinar cuatro chips DRAM LPDDR4X de 16 Gb (16 Gb = 2 GB), Samsung creó un paquete de DRAM móvil LPDDR4X de 8 GB que se ha reducido en aproximadamente un 20 por ciento más pequeño en comparación con los chips de la primera generación.
«El advenimiento de la DRAM móvil de 10nm permitirá soluciones significativamente mejoradas para los dispositivos móviles insignia de próxima generación, que deberían llegar al mercado a fines de este año o en la primera parte de 2019«, dijo Sewon Chun, vicepresidente senior de Ventas de Memoria & Marketing en Samsung Electronics.
Luego de los avances generados por Samsung en la producción de chips DDR4 RAM de 8Gb más pequeños y más eficientes en energía para PC’s, la firma ha comenzado este nuevo proyecto y planea continuar ampliando su línea de DRAM basada en 1y-nm en más del 70 por ciento.
Samsung ampliará su línea de DRAM en más del 70% según el proceso de 1y-nm.
El chip ultradelgado de 8GB permite un diseño para los dispositivos móviles emblemáticos de nueva generación.
