Ufs 3

Actualmente los móviles de gama alta usan un estándar de almacenamiento interno UFS 2.0 o 2.1 que alcanzaba una frecuencia de transferencia de datos de hasta 1,2GB/s, ahora esto está por cambiar pues ha sido presentado oficialmente el estándar UFS 3.0 que promete duplicar la velocidad de su antecesor.

Aunque la característica del almacenamiento interno no es muy “mediático”, constituye  un requerimiento importante en los dispositivos móviles, ya que permite controlar la “rapidez” o eficiencia de un smartphone. Esto debido a que a mayor capacidad de almacenamiento mayor es la frecuencia de transferencia de datos. Por lo que el desarrollo de un nuevo estándar se traduce en móviles más rápidos y eficientes.

El estándar UFS 3.0, fue aprobado por  la Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) el día de hoy y aseguran que está diseñado para alcanzar velocidades de hasta 11,6 gigabits por segundo en cada banda, por lo que duplicará el rendimiento de las memorias flash.

El nuevo estándar mantiene el soporte para dos canales, por lo que la velocidad máxima puede ser de 23,2 Gbps (2,9 GB/s), además usarán el nuevo soporte Adapt en MIPI M-PHY 4.1 y QoS (Calidad de servicio) para medir la calidad de la comunicación, permitiendo un registro de fallos.

Novedades del UFS 3.0

Además de lo antes mencionado, una de las características que trae el estándar 3.0 es la reducción de latencia y se añade una mayor resistencia del dispositivo, ya que podrá soportar temperaturas entre los -40ºC y los 105ºC.

Estas memorias presentarán una reducción en tamaño físico, reduciendo a la mitad el área ocupada por esta, y por consiguiente reduce el consumo energético a 2.5 voltios, muy por debajo del estándar anterior que alcanza  entre 2,7 y 3,6 voltios. Esta sin duda es una buena noticia ya que podrán fabricarse placas de móviles más pequeñas, con menos consumo de energía y más rápidas.

De acuerdo con el comunicado de la compañía, esta tecnología se ha desarrollado no solo para móviles, sino también para ordenadores que necesitan «alto rendimiento» y «bajo consumo de energía».

Se espera que estas memorias sean presentadas a mitad de año, por lo que ya estamos muy cerca de verlas en funcionamiento.

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